CXMTが上海で大規模デビュー、世界メモリ大手との次なる対決へ

長江存儲（CXMT）の上海市場での大成功な初上場により注目が集まっているが、アナリストらは、世界的な市場リーダーに挑戦できるかどうかを決めるのは投資家の熱狂ではなく、先端メモリチップにおける技術的格差の解消であると指摘している。

中国のメモリメーカーであるCXMTは、月曜日のマーケットデビューで約466％も急騰し、北京当局が長年にわたって推進してきた半導体産業の自立化政策がようやく実を結び始めているとの楽観論を後押しした。

現在のより大きな課題は、特にAIブームを支えるキーテクノロジーである高帯域メモリ（HBM）分野において、サムスン電子、SKハイニクス、マイクロンといった3社がすでに大きなリードを築いている中で、CXMTがこれらの企業との技術的格差を縮められるか否かにある。

「需要が全社にとって供給を上回り続ける限り、上場してもビッグスリーの展望や業界構造が変わるわけではない」と、MST Financialのシニアアナリスト、デイビッド・ギブソン氏は述べた。

国内需要は今後もCXMTのメモリチップを支えるだろうが、ギブソン氏は、最新の極端紫外線（EUV）リソグラフィ装置にアクセスできないことが同社の課題だと指摘する。EUV装置は先端チップ製造に不可欠であり、米国主導の輸出規制により中国には事実上禁輸されている。

こうした装置がないため、CXMTは同じ量のメモリを生産するのに競合他社よりも約30％多くのウエハー（チップ製造に用いられる半導体素材の薄切り片）を必要としており、この状況は克服が難しい。

「CXMTは2026年末からHBMの生産を目指している。新設された上海工場はHBMを含むAIチップの生産に特化している」と、カウンターポイントリサーチのリサーチディレクター、MSフワン氏は述べた。

彼は、初期製品は達成可能な性能次第でHBM3EまたはHBM3になる可能性があると付け加え、すでに競合各社がHBM4およびHBM4Eへと移行しつつある中で、1〜2世代遅れの状態になると指摘した。

世界のDRAM市場で圧倒的な地位を占めるサムスン電子は、木曜日の第2四半期決算会見で、HBM4の販売を拡大し、業界で初めてHBM4Eのサンプルを主要顧客に出荷したと発表した。

「CXMTがHBMを製造することは可能だが、積層DRAMだからという理由にすぎず、歩留まり（yield）は低く、結果として生産量も少なくなるだろう」とギブソン氏は述べ、同社が高容量・高速性能を求める競合他社に比べて依然遅れている点を強調した。

歩留まり（yield）とは半導体業界の用語で、製造プロセス中に得られる使用可能なチップの割合を意味する。チップメーカーは歩留まりの最大化を目指している。

トレンドフォースのアナリスト、エリー・ワン氏によると、CXMTはこれまで一貫してHBM技術の研究開発に注力してきた。しかし、EUVリソグラフィなしでもHBMの生産は技術的に可能とはいえ、業界トップの企業と比較すると明らかな性能差が残る可能性があると彼女は述べた。

ギブソン氏はまた、CXMTが今後もグローバルDRAM市場シェアを伸ばす可能性があるとしながらも、その成長の大部分はテンセント、バイテッド、アリババ、国内スマートフォンメーカーなど中国国内の顧客からのものになると予想している。

カウンターポイントリサーチによると、サムスン電子は38％の市場シェアで世界のDRAM市場をリードしており、SKハイニクスが29％、マイクロンが22％と続く。一方、CXMTのシェアは8％となっている。

ワン氏によると、CXMTは現在多くの中国スマートフォンブランドにメモリチップを供給しており、徐々に中国国内のPCおよびサーバー市場への進出も広げている。しかし、同社の製品ポートフォリオは依然としてメインストリームおよびミッドレンジ製品に集中しており、高容量サーバー製品やAIサーバー向け先端メモリにおける能力は相対的に限定的である。

今後の見通しについて、フワン氏はCXMTにはベア相場とブル相場の両面があると指摘。「ブルケースは技術的追いつきだ。ベアケースはHBMのような設備規制や技術的障壁を克服できず立ち往生することだ」と述べた。

「現時点での開発および生産の進捗に基づけば、AI需要によるメモリ需要が正常化し始める前に、CXMTが格差を大幅に縮めるのは引き続き困難だろう」とワン氏は述べ、同社は格差解消に向けて新たなプロセス技術や製品の開発を継続していると付け加えた。

金曜日の取引では、CXMTの株価は5％以上上昇した。