MU Micron Technology, Inc. - Common Stock

美光科技公司（英語：Micron Technology, Inc.）是一家美國跨國半導體公司，設計與製造電腦記憶體和資料儲存產品，主力包括動態隨機存取記憶體（以下簡稱為DRAM）、快閃記憶體、高頻寬記憶體與固態硬碟。公司於1978年創立於美國愛達荷州波夕，是美國唯一的主要電腦記憶體製造商。

美光長期以Crucial（中國大陸譯英睿達）品牌行銷消費性記憶體與固態硬碟，並以子品牌Ballistix鎖定電競市場，然而在人工智慧帶動資料中心記憶體需求大幅成長後，公司於2026年2月結束消費業務、聚焦企業與資料中心市場。美光曾與英特爾合資成立IM Flash Technologies生產NAND型快閃記憶體，並於2006年至2017年間擁有記憶卡品牌雷克沙。桑賈伊·梅洛特拉自2017年起出任美光總裁兼執行長。

美光的營運深受記憶體產業景氣循環影響，價格與獲利隨景氣循環劇烈波動：2023財政年度因產業低谷出現逾58億美元的淨虧損，執行長形容為記憶體業十三年來最嚴峻的衰退。隨後在人工智慧需求帶動下大幅回升，2025財政年度營收達373.8億美元的歷來新高，較前一年成長近五成；2026年5月26日，美光股價單日上漲約一成九，市值首度突破1兆美元。

在地緣政治層面，美光是美中科技角力的焦點之一。2017年，美光控告中國大陸與台灣業者竊取其DRAM營業秘密；2023年，中國大陸以國家安全為由禁止關鍵資訊基礎設施採購其產品，外界多視為對美方半導體出口管制的報復。另一方面，身為唯一的美國本土記憶體製造商，美光藉由美國《晶片與科學法案》的補助，於美國本土及新加坡、日本、印度等地展開總額逾2000億美元的擴廠投資。

歷史

創立與美日記憶體大戰（1978年–1980年代）

美光於1978年10月5日創立於愛達荷州波夕。三名離開莫斯泰克的設計工程師沃德·帕金森（Ward Parkinson）、丹尼斯·威爾遜（Dennis Wilson）與道格·皮特曼（Doug Pitman），連同沃德的雙胞胎兄弟、原任華爾街律師的喬·帕金森，在一間牙醫診所的地下室裡以四人之姿創辦這家半導體設計顧問公司。公司起步時僅有約900萬美元資本，遠低於半導體業通常認為至少需要1億美元的門檻。創業資金來自當地多位愛達荷州商人，其中以馬鈴薯事業致富的億萬富翁J·R·辛普勞（J. R. Simplot）為最重要的投資人；據《晶片戰爭》作者克里斯·米勒記述，辛普勞最初投入約100萬美元，最終增值為價值十億美元的持股。1981年，公司由設計顧問轉型為製造商，第一座晶圓廠落成並開始生產64K DRAM晶片。

1984年，美光在那斯達克掛牌上市，當年以8400萬美元營收創造2900萬美元的稅後盈餘。然而隨即而來的記憶體價格大幅下跌，公司經營一度陷入困難。1980年代中期，美光在日本廠商主導的市場中艱困經營：面對日本業者的低價傾銷，美光奉行「以最低成本生產最高品質產品」的經營哲學，憑藉較小的晶粒面積壓低成本，其晶片一度較摩托羅拉的產品小四成、較日立小一成五。1985年秋，美光帶頭對六家日本電子公司提起價值3億美元的反傾銷與反壟斷訴訟。美國商務部其後於1986年6月應美光請願，對日本DRAM展開反傾銷調查；該爭端最終促成1986年的《美日半導體貿易協定》。

規模擴張與多角化（1990年代–2011年）

1994年，創辦人喬·帕金森卸任執行長，由史蒂夫·阿普爾頓接任董事長兼執行長，主導公司其後十餘年的擴張。1990年代後期，美光趁個人電腦普及的榮景持續透過併購壯大規模。同樣在1996年，美光成立消費部門「Crucial Technology」，首度直接向終端消費者銷售記憶體升級模組，標誌其正式跨入消費市場，此即日後Crucial品牌的起點。美光在這段期間規模最大的併購，是1998年10月收購德州儀器的半導體記憶體事業。依交易條件，德州儀器取得約2890萬股美光股票（價值約8.81億美元）、約7.4億美元的票據與一筆2.1億美元的次順位票據；美光則一舉取得義大利阿韋扎諾、美國德州理查森，以及新加坡、日本等地的晶圓廠與封測設施，大幅擴充其全球產能與客戶基礎。

進入二十一世紀，美光由製程技術創新驅動成長，並逐步跨足快閃記憶體與消費產品。2000年代初，公司工程師古爾捷·辛格·桑杜等人投入原子層沉積高介電常數薄膜的研發，協助DRAM以更低成本量產；桑杜並開創出間距加倍製程，大幅縮小NAND快閃記憶體的線寬。

2006年，美光與英特爾合資成立IM Flash Technologies，雙方各投入約12億美元，於猶他州里海生產NAND快閃記憶體；這項合資其後成為兩家公司共同開發新型記憶體的平台，並於2015年發表號稱速度遠勝傳統快閃記憶體的3D XPoint技術。同年6月，美光以約8.5億美元收購快閃記憶卡製造商雷克沙。2008年金融海嘯期間，記憶體售價大幅下跌，美光宣布兩年內裁員一成五（當時全球約有23,500名員工），並暫停部分NAND產能。2010年2月，美光宣布以約12.7億美元的全股票交易收購由英特爾、意法半導體與私募基金共同持有的快閃記憶體商Numonyx，並於同年5月完成交割，進一步擴大其NOR與NAND快閃記憶體版圖。

整併、領導更迭與人工智慧轉型（2012年至今）

2012年2月3日，執行長阿普爾頓駕駛實驗性飛機自波夕機場起飛後不久墜毀身亡，得年51歲，營運長馬克·德肯隨即接任執行長。同年7月，美光宣布收購爾必達。這家日本最後的主要DRAM廠在社長坂本幸雄主導下於2012年初聲請破產保護，為當時日本史上規模最大的製造業破產案之一。整筆交易總對價約2000億日圓（約25億美元），其中取得爾必達百分之百股權的對價約600億日圓（約7.5億美元），其餘為分期至2019年支付的款項。2013年7月收購完成後，美光連同爾必達與其在台合資廠瑞晶電子（Rexchip）每月可多產逾18.5萬片300毫米晶圓，產能增加約45%，全球DRAM市占升至約25%、與SK海力士相當而僅次於三星的42%。透過爾必達，美光成為蘋果公司iPhone與iPad的重要記憶體供應商。2016年12月，美光以約40億美元完成對台灣華亞科技的全面收購；華亞科原為南亞科技與英飛凌（後由奇夢達承接）於2003年成立的合資廠，美光自2008年起即持有其部分股權。經過這一輪整併，全球DRAM市場形成三星、SK海力士與美光三強鼎立的格局。

2017年4月，美光宣布由晟碟共同創辦人桑賈伊·梅洛特拉接替馬克·德肯出任總裁兼執行長，自同年5月8日生效。同年6月，美光結束雷克沙的零售業務，該品牌其後由中國深圳的快閃記憶體業者江波龍收購。2021年3月，美光宣布終止與英特爾合作開發的3D XPoint記憶體，並於同年10月將里海晶圓廠以9億美元現金售予德州儀器。

2020年代中期，人工智慧運算對高頻寬記憶體的需求成為美光成長的主要動力。隨著美國《晶片與科學法案》通過，美光宣布在美國本土及海外投入大筆資金擴廠。2025年12月，美光宣布退出以Crucial品牌經營的消費記憶體業務，將產能轉向資料中心與企業客戶。執行階層稱公司產能「供不應求」，並預估高頻寬記憶體的潛在市場規模到2028年將達1000億美元、年複合成長率約四成；2026年的HBM產能更已全數透過協議鎖定。2026年5月26日，受人工智慧記憶體需求帶動，美光股價單日上漲約一成九，市值首度突破1兆美元；投資銀行瑞銀同步將其目標價自每股535美元上調至1,625美元。

產品與技術

美光的核心產品是兩大類半導體記憶體。記憶體採晶圓廠大量生產，屬高度標準化的商品，價格與獲利隨供需大幅波動而呈現明顯的景氣循環，是美光營運的一大特徵；公司在2023財政年度的低谷一度淨虧損逾58億美元。

動態隨機存取記憶體

DRAM是美光營收占比最高的產品。在這個由三星電子、SK海力士與美光主導的寡占市場中，據TrendForce統計，2025年第四季三星以36%的DRAM營收市占居首，SK海力士為32.1%，美光則為22.4%。製程技術上，DRAM廠商約自2010年代中期起不再公布實際奈米數，改以世代代號標示。美光以希臘字母標示的10奈米級世代包括1α（1-alpha，2021年量產）、1β（1-beta，2022年）與1γ（1-gamma，2025年，即10奈米級第六代）。美光是三大DRAM廠中最晚導入極紫外光微影者，1α與1β世代均以深紫外光多重曝光達成，直到2025年的1γ世代才將EUV用於量產；該世代率先於日本與台灣的晶圓廠導入，美光並宣稱為業界首家送出1γ DRAM樣品的廠商。

NAND快閃記憶體

NAND快閃記憶體方面，美光在堆疊層數上一度居於領先。2022年，美光推出業界首款232層3D NAND，單位面積位元密度較前一代176層產品高出逾45%，單顆晶片容量達1 Tb。其後的世代改採取代式閘極（replacement gate）結構（以金屬字元線取代多晶矽），降低字元線電阻並支援更高層數堆疊，第九代（G9）NAND於2024年7月量產，率先應用於Micron 2650 NVMe固態硬碟。不過在NAND整體營收市占上，據TrendForce統計，美光2025年第二季約為13.3%，居第四位。

高頻寬記憶體

高頻寬記憶體是2020年代美光成長最迅速的產品線。2024年2月，美光宣布量產供輝達H200加速器使用的24 GB八層HBM3E，打破SK海力士先前的獨家供應，並標榜功耗較對手低三成。其後推出的12層（12-Hi）HBM3E較業界標準的八層版本容量增加五成、功耗降低約兩成，並同時供應輝達的Blackwell平台與AMD的MI350加速器。在下一代HBM4上，美光於2026年第一季進入量產，供應輝達的Vera Rubin平台，宣稱每接腳資料傳輸率逾每秒11 Gb、頻寬超過每秒2.8 TB，為HBM3E的2.3倍。在需求強勁下，美光表示2026年的HBM產能已全數透過協議鎖定價格與數量。

繪圖記憶體

美光在繪圖記憶體（GDDR）領域占有獨特地位。2020年9月，美光與輝達合作，於GeForce RTX 3090與RTX 3080繪圖卡上首發GDDR6X，並透過四階脈衝振幅調變達成領先業界的頻寬。GDDR6X未經JEDEC標準化，且由美光獨家為輝達生產。2024年，美光推出採用PAM3訊號的GDDR7，每接腳資料速率達每秒32 Gb。

製程技術與研發

美光的製程創新長期由技術院士古爾捷·辛格·桑杜主導。桑杜自2000年起推動原子層沉積高介電常數薄膜，使DRAM電容得以微縮，並發明間距加倍製程，大幅縮小NAND的線寬；他持有逾1300項美國專利，是美國史上最多產的發明人之一。2025年2月，美光成為業界首家出貨採用EUV的1γ DRAM樣品的廠商，較前一代每片晶圓位元產出提升逾30%。

固態硬碟與消費品牌

美光也生產企業級與消費級固態硬碟。2026年，美光的9650系列量產，成為業界首款以PCIe Gen6介面大量出貨的資料中心固態硬碟，循序讀取速度達每秒28,000 MB。在消費市場方面，源自1996年消費部門的Crucial品牌經營消費級DRAM模組與固態硬碟近三十年，並自稱是最早直接向消費者銷售記憶體的公司，亦以子品牌Ballistix鎖定電競客群（已於2022年停止）；隨著公司聚焦人工智慧與資料中心，Crucial於2026年2月正式退場。

全球設施

截至2026年，美光在全球設有15座製造廠、13座客戶實驗室與21處設計中心，分布於美國、印度、日本、馬來西亞、新加坡、台灣與中國等七個國家或地區。大致而言，先進DRAM的晶圓製造集中於台灣、日本與美國，NAND晶圓製造以新加坡為核心，封裝測試則分布於台灣、新加坡、中國西安與印度等地。

美國

美光位於愛達荷州波夕的總部同時設有DRAM晶圓廠與研發中心。2022年宣布的波夕新廠是美國二十年來首座新建的記憶體製造廠，預計2027年下半年量產。2025年6月，美光宣布在美國的投資承諾總額擴大至約2000億美元，其中約1500億美元用於製造、500億美元用於研發，預計創造約9萬個直接與間接職位。維吉尼亞州馬納薩斯（Manassas）廠生產1α DRAM，主要供應工業、汽車、國防、航太與醫療等需長期供貨的關鍵產業，並獲《晶片法案》2.75億美元補助以擴產。在紐約州克萊，美光於2022年10月宣布規劃投資約1000億美元、興建大型晶圓廠園區。2024年12月，美國商務部依《晶片法案》核定提供美光最高61.65億美元的直接補助（紐約46億、愛達荷15億美元）；其後美光將約12億美元由紐約轉撥愛達荷以加速第二座廠，紐約首座廠的量產則延至2030年。猶他州里海廠原為IM Flash合資廠與3D XPoint的生產基地，已於2021年以9億美元售予德州儀器。

台灣

台灣是美光全球最大的製造基地，也是其DRAM生產的核心。據美光台灣董事長盧東暉表示，美光逾六成的DRAM晶圓在台灣製造，台灣為其全球最大的生產據點。美光於2017年宣布在台灣設立「DRAM卓越中心」（Center of Excellence），並稱台灣是其最大的外商投資者與雇主。截至2026年1月，美光在台累計投資達新台幣1.4兆元（約438.8億美元），為台灣最大的外商投資者；其在台員工由2020年代初的逾萬人持續成長，並計畫於2026年底增至約15,000人，行政院長卓榮泰稱台灣是美光全球最大的製造基地。

美光在台灣的廠區源自一連串對台灣記憶體業者的收購。2013年，美光透過收購日本爾必達，一併取得位於台中的瑞晶電子；2016年，美光以約40億美元全資收購華亞科技；2017年再以約8920萬美元標下達鴻先進科技的資產，作為後段封裝測試基地。其台中廠區（含A3廠）生產先進製程DRAM，為美光最早量產1γ製程的基地之一。2023年啟用的台中四廠導入先進封裝測試（AATT），支援HBM3E產能，使台灣成為美光唯一能進行HBM垂直整合的生產基地；執行長梅洛特拉稱「台灣美光會是這一切的核心」。

2026年1月，美光宣布以18億美元現金收購力積電位於苗栗銅鑼的P5廠區，並於同年3月完成交割；該廠擁有約30萬平方英尺的300毫米無塵室、距台中廠區約15英里，預計2028財政年度起支援具規模的量產，美光並計畫於2026財政年度底前動工興建第二座晶圓廠。在政府支持上，台灣經濟部於2025年底透過「A+企業創新研發計畫」核定補助美光新台幣47億元（總經費117.54億元），預估可衍生逾8000億元產值與逾2萬個就業機會。不過，在美國《晶片法案》推動製造回流的政策下，美光開始將部分DRAM產能自台灣分散至海外其他地區；集邦科技分析師王豫琪指出，美光當前DRAM產能「仍以台灣為重心」，但在政策導向下「台灣的產出比重預期可能逐年減少」。

其他亞洲據點

新加坡是美光重要的NAND生產基地。2025年初，美光於當地動工興建一座高頻寬記憶體先進封裝廠，投資約70億美元、預計2026年投產，是新加坡首座同類設施；2026年1月，美光進一步宣布投資約240億美元擴建新加坡的NAND晶圓產能。日本廣島廠生產先進DRAM，並引進EUV技術，這也是EUV首次在日本用於量產；2025年9月，日本經濟產業省宣布為廣島廠導入1γ製程與HBM的投資提供最高5360億日圓的補貼，美光在當地的總投資規模上看1.5兆日圓；有報導指美光規劃在廣島興建一座約96億美元的HBM新廠。美光在中國西安設有封裝測試廠，2023年宣布投資約43億人民幣（約6億美元），並收購力成科技的西安廠房資產、新增約500個職位。2026年，美光在印度古吉拉特邦薩南德的封裝測試廠開幕，為印度首座商用半導體封測廠，投資約27.5億美元，將美光全球製造網絡的DRAM與NAND晶圓加工為成品。

供應鏈與合作夥伴

作為整合元件製造商，美光自行設計並生產晶片，但其先進製程高度仰賴少數半導體設備供應商，包括微影設備龍頭艾司摩爾以及應用材料、科林研發、東京威力科創等。美光的首套EUV設備於2024年裝設於日本廠，並計畫於日本與台灣的晶圓廠陸續增設。2026年3月，美光與應用材料宣布合作，結合應用材料位於矽谷、規劃投資約50億美元的EPIC研發中心與美光在波夕的創新中心，共同開發次世代人工智慧記憶體。

在下游，美光與人工智慧晶片商建立緊密的供應關係，其HBM產品供應輝達與AMD的加速器。美光與英特爾的合作則歷時較久：兩家公司2006年合資成立IM Flash生產NAND，2015年共同發表3D XPoint記憶體；2018年雙方終止共同開發，美光以約15億美元買斷英特爾在合資企業中的股權。

市場與競爭

主要客戶與區域市場

美光的客戶涵蓋個人電腦、伺服器、智慧型手機、汽車與工業等領域的設備製造商與雲端服務業者，營收相對集中於少數大型客戶，據其向美國證券交易委員會提交的年報，前十大客戶合計約占其營收的半數。隨著人工智慧興起，美光的營收結構明顯向資料中心傾斜：公司於2025年宣布退出Crucial消費業務、全力轉向企業與資料中心市場，其雲端記憶體部門營收在該年某季較去年同期成長達213%。在高頻寬記憶體方面，輝達與AMD等繪圖處理器與特殊應用晶片業者是主要買家，美光表示已向四家GPU與ASIC客戶大量出貨HBM，其HBM3E與HBM4分別打入輝達的H200、Blackwell與Vera Rubin平台以及AMD的MI350加速器。在行動與消費領域，美光長期供應蘋果公司等品牌的記憶體，然而隨策略重心轉向資料中心，消費性業務比重已下降。

地理上，美國、台灣、中國大陸與其他亞洲市場長期是美光重要的營收來源地。中國大陸市場在2023年的禁令後快速萎縮：美光來自中國大陸的營收約34億美元、約占總營收的12%，公司並於2025年宣布退出在中國的伺服器晶片業務，使相關營收進一步流向三星、SK海力士與中國本土廠商。為分散地緣政治風險，美光近年逐步將DRAM產能自台灣分散至日本與美國等地；集邦科技分析師王豫琪指出，美光當前DRAM產能「仍以台灣為重心」，但在美國政策導向下「台灣的產出比重預期可能逐年減少」。

競爭格局

美光是全球DRAM市場的三大廠之一，與三星電子、SK海力士共同形成寡占格局。其DRAM營收市占約在二至三成之間，並在2020年代中期人工智慧需求帶動下回升，2025年第三季升至25.7%、單季提升3.7個百分點，縮小與兩家南韓對手的差距。在資本支出上，吸取2017年至2018年因激進擴產而引發崩跌的教訓，美光與同業同樣轉趨重視產能紀律、將投資導向製程升級與先進封裝；然而據TrendForce估計，美光是2026年DRAM資本支出最積極的業者，年增約兩成三至約135億美元。在製程上，美光在2025年率先送出採用EUV的第六代（1γ）DRAM樣品，扭轉其先前在EUV導入上落後對手的形象；同期SK海力士以1b製程生產HBM4，三星則力圖改採更先進的1c節點以縮小差距（三家廠商命名體系不同：美光1α/1β/1γ約略對應SK海力士與三星的1a/1b/1c，同一字母代表同一世代）。

高頻寬記憶體是美光近年最關鍵的成長動力，也是其與對手競爭最激烈的戰場。美光進入HBM市場較晚、市占偏低，據Counterpoint Research統計，2025年第二季美光約占HBM市場的21%，落後居首的SK海力士（62%），但已超越三星（17%）。為突圍，美光以低功耗與良率作為差異化策略：其HBM3E功耗估計較對手低約三成，12層版本較業界標準八層容量增加五成、功耗降低約兩成。2024年，美光率先量產供輝達H200使用的HBM3E、打破SK海力士先前的獨家供應，其後並打入輝達Blackwell與AMD MI350平台。相較之下，居領先的SK海力士憑藉MR-MUF封裝技術與和台積電合作製造邏輯基底晶粒（base die）的策略長期居於領先，三星則因HBM3E多次未通過輝達認證而一度受挫；Counterpoint分析師崔正具（Choi Jeong-ku）認為，三星的HBM銷售「似已在2025年第一季觸底並出現回升跡象」，但要奪回市占「關鍵在於通過輝達嚴苛的品質測試」。

進入次世代HBM4，美光於2026年第一季宣布量產，供應輝達的Vera Rubin平台。美光的HBM4競爭力一度引發分析師分歧：研究機構SemiAnalysis因美光自製基底晶粒的速度表現不佳，將其對輝達HBM4的供給預估下修至零；瑞穗證券分析師喬丹·克萊因（Jordan Klein）則持相反看法，認為「向輝達或AMD供應HBM4並非零和賽局，需求超過供給」，預期包括美光在內的三家業者最終都將通過認證並出貨。整體而言，TrendForce預期SK海力士仍可維持逾五成市占，美光與三星的後續表現則取決於良率與產能的改善。展望未來，隨著輝達推動16層HBM，美光等業者面臨更高的技術門檻，韓國半導體產業協會副會長安基鉉（Ahn Ki-hyun）即指出「由12層轉進16層在技術上遠比由8層轉12層困難」，各家的封裝路線選擇將左右後續勝負。

美光在HBM上的落後，部分源自2010年代初的一場記憶體標準之爭。2011年，美光與三星電子等業者發起「混合記憶體立方體聯盟」，推動一種名為混合記憶體立方體（以下簡稱HMC）的3D堆疊記憶體：它將多片DRAM晶粒以矽通孔堆疊於一片邏輯基底晶粒之上，由邏輯層負責定序、刷新、錯誤更正與對外封包化的高速串列介面。首批產品於2013年問世，單顆頻寬達每秒160 GB、約為當時DDR3模組的15倍，每位元耗能並降低約七成。然而HMC最終不敵對手陣營的HBM：HBM透過矽中介層緊貼運算晶片、延遲與整合度更佳，又被JEDEC採為產業標準並獲輝達、AMD等GPU業者採用，HMC則因記憶體距運算晶片較遠而失去部分優勢。美光遂於2018年放棄HMC、轉投HBM與GDDR；此一押注被視為使其在HBM起步落後SK海力士與三星，直到近年才急起直追。HMC的實際採用僅限於少數高效能運算產品，如富士通的SPARC64 XIfx處理器。

在NAND快閃記憶體市場，美光則面對三星、SK海力士（含其收購的Solidigm）、鎧俠與SanDisk等對手的競爭，2025年市占約一成三、居第四。此外，獲中國政府大力支持的本土廠商長江存儲與長鑫存儲正快速崛起，積極擴張產能，逐步侵蝕既有大廠的市占，被視為長期威脅。

公司事務

領導層與治理

美光於德拉瓦州註冊、總部設於愛達荷州波夕，採單一董事會制。2025年1月，長期擔任董事長的羅伯特·斯威茲（Robert E. Switz）退休，改由總裁兼執行長桑賈伊·梅洛特拉兼任董事長，並由林恩·杜格爾（Lynn A. Dugle）出任首席獨立董事。其八名董事中有七名為獨立董事，成員包括前英特爾執行長鮑勃·史旺等；董事會下設審計、薪酬、治理與永續、財務，以及在科技業中較為少見、專責監督資安與實體安全的「安全委員會」。

執行領導團隊由梅洛特拉領軍。梅洛特拉是快閃記憶體商晟碟的共同創辦人，曾帶領晟碟成長為財星500大企業、並於2016年以約190億美元出售予威騰，2017年起執掌美光，持有逾70項專利，並於2022年獲選美國國家工程院院士；其2024財政年度總薪酬約3006萬美元。團隊其他主要成員包括財務長馬克·墨菲（Mark Murphy）、全球營運執行副總裁馬尼什·巴蒂亞（Manish Bhatia）、技術與產品長史考特·德波爾（Scott DeBoer）、業務長蘇米特·薩達納（Sumit Sadana）、人資長阿普麗爾·阿恩岑（April Arnzen）與法務長麥可·雷（Michael Ray）等。2025年，美光將營運重組為雲端記憶體、核心資料中心、行動與用戶端、汽車與嵌入式四大事業部，以對應人工智慧帶動的市場區隔，各事業部均向薩達納匯報。

美光股票於那斯達克掛牌（代號MU），並為納斯達克100指數與標準普爾500指數成分股。美光的股權主要由機構投資人持有，截至2023年底，最大股東先鋒集團與貝萊德分別持股約8.6%與7.7%。美光在全球設有約二十家法律實體子公司，涵蓋新加坡、日本、台灣、馬來西亞、英國、荷蘭與印度等地。

財務

美光的獲利呈現顯著的景氣循環。2018財政年度，公司因記憶體價格上漲締造逾141億美元的淨利；2023財政年度則因產業低谷，營收由前一年的307.6億美元下降至155.4億美元，並出現約58.3億美元的淨虧損，執行長形容為記憶體業十三年來最嚴峻的衰退。隨後在人工智慧需求帶動下，美光營收大幅回升，2025財政年度營收達373.8億美元、較前一年的251.1億美元成長約49%，公認會計原則淨利85.4億美元，營業現金流175.3億美元，毛利率回升至約四成。

美光的營運高度資本與研發密集。為維持製程競爭力，公司每年投入可觀的研究發展經費與資本支出；在人工智慧需求快速成長下，其2026財政年度的資本支出計畫由原先的180億美元上修至約200億美元，主要投入HBM與先進DRAM產能。隨著人工智慧帶動「記憶體超級循環」，分析機構普遍上調對美光的展望：市場研究機構Aletheia Capital於2026年中預估，記憶體在人工智慧硬體系統中的價值占比將由2025年的四成中段升至2027年的七成以上，HBM平均售價亦可能在2027年較前一年翻倍。

永續發展

2022年，美光承諾在2050年前使其全球營運（範疇一）與外購能源（範疇二）達到淨零排放，並設定到2030年將範疇一排放較2020年基準減少42%的目標。美光已使馬來西亞營運採用100%再生能源，並計畫於2025年底前使美國營運亦全面採用再生電力；據其2024年永續報告，2023年範疇一排放較2020年基準減少約11%。

員工與企業文化

截至2026年，美光在全球約有56,000名員工，營運據點涵蓋15座製造廠、13座客戶實驗室與21處設計中心，分布於美國、印度、日本、馬來西亞、新加坡、台灣與中國等七個國家或地區。公司總部所在的愛達荷州波夕是其發源地與最大研發基地，美光長年是當地最重要的民間雇主之一，其擴廠計畫對地方經濟具顯著影響。在台灣，美光自1994年設立辦公室以來持續深耕，員工已逾萬人，並計畫增至約15,000人。

榮譽與獎項

美光長期重視專利布局，據公司資料累計獲得逾六萬項專利，並名列2026年《財富》美國500大企業第125名。公司技術院士古爾捷·辛格·桑杜於2018年獲頒IEEE安德魯·葛洛夫獎，以表彰其對使DRAM與NAND記憶體晶片得以微縮的矽CMOS製程技術之傑出貢獻。2023年，執行長梅洛特拉獲半導體產業協會頒發象徵業界最高榮譽的羅伯特·諾伊斯獎（Robert N. Noyce Award）。美光並於2025年重新入選克拉里維特的「全球百大創新機構」。

出口管制與地緣政治

身為唯一的美國本土主要記憶體製造商，美光長期處於美中科技角力的核心。執行長梅洛特拉曾稱，公司「具備掌握人工智慧機遇的獨特地位」；美國商務部亦以「唯一的美國本土記憶體製造商」形容其戰略地位。戰略暨國際研究中心的分析指出，由於高頻寬記憶體是人工智慧運算的關鍵瓶頸，「管制HBM技術可能比僅管制繪圖處理器更為有效」，凸顯美光等記憶體廠在AI供應鏈中的樞紐地位。智庫新美國安全中心則指出，華府正設法扶植美光等本土記憶體業者，以避免過度依賴三星與SK海力士、加深對外國供應的倚賴。

晶片法案與在美投資

為強化美國本土的記憶體製造，美光成為《晶片與科學法案》的主要受益者之一。2024年12月，美國商務部核定提供其最高61.65億美元的直接補助。2025年6月，美光進一步將在美投資承諾擴大至約2000億美元，涵蓋愛達荷州與紐約州的晶圓廠以及維吉尼亞州的擴產。美國政府表示，此舉可望使美國尖端記憶體製造的全球占比由當時不到2%提升至2035年的約一成；白宮並強調尖端記憶體晶片對人工智慧等先進技術至關重要。美光在日本、新加坡與印度的擴廠，亦多獲當地政府補貼與政策支持，反映各國在地緣政治下對記憶體供應鏈安全的重視。

福建晉華與聯華電子案

2017年12月，美光在美國加州北區聯邦地方法院控告聯華電子與中國國有企業福建晉華竊取其DRAM營業秘密。2018年7月，福州中級人民法院反向裁定美光部分產品在中國侵權並一度發出禁售令，美光法務副總約爾·波本（Joel Poppen）回應稱「對福州法院的裁定感到失望」，並指其程序有失公正。同年10月，美國商務部將福建晉華列入實體清單，理由是其「對美國國家安全利益構成重大風險」；11月，美國司法部依《經濟間諜法》對福建晉華、聯華電子等提起刑事起訴，時任司法部長傑夫·塞申斯稱「全球DRAM供應市場價值近500億美元，美光掌握其中約兩成至兩成五」，並表示「夠了就是夠了」。2020年10月，聯華電子認罪並同意支付6000萬美元罰金，副司法部長傑佛瑞·羅森（Jeffrey Rosen）稱「聯電竊取美國記憶體領導者的營業秘密，以助中國達成記憶體自給自足的戰略目標」。2023年12月，美光與福建晉華達成全球和解、互撤所有訴訟；2024年2月，舊金山聯邦地院法官麥馨·切斯尼在無陪審團審判中認定檢方證據不足，判決福建晉華無罪。

中國市場禁令與長江存儲訴訟

2023年5月21日，中國國家網信辦以美光產品「存在較嚴重網路安全問題隱患，對我國關鍵信息基礎設施供應鏈造成重大安全風險」為由，要求中國國內關鍵資訊基礎設施的運營者停止採購美光產品。網信辦並未具體說明所發現的風險細節。戰略暨國際研究中心的分析認為，許多美國觀察家與決策者視此舉為對美方限制中國取得先進半導體技術的「報復」，並評估禁令對美光的實際損害有限，更可能意在離間美國與南韓。同年11月，中國記憶體大廠長江存儲在美國加州法院控告美光侵害其八項3D NAND專利，並於2024年7月另案主張美光侵害其十一項專利。受中國禁令影響，美光於2025年宣布退出在中國的伺服器晶片業務；美光來自中國大陸的營收約為34億美元，約占其總營收的12%，此舉被認為有利於三星、SK海力士及長江存儲、長鑫存儲等對手。

爭議

DRAM價格操縱

2000年代初，美國司法部偵辦一起跨國DRAM價格操縱卡特爾，認定多家業者在1999年至2002年間共謀抬價。英飛凌於2004年認罪並支付1.6億美元罰金；美光則因率先檢舉並配合調查而取得寬恕、未遭刑事處罰。戴爾創辦人麥可·戴爾曾將涉案業者形容為「卡特爾」。2018年，中國市場監管機構對三星、美光與SK海力士展開反壟斷調查，稱握有「大量證據」，三家業者當時合計約占全球DRAM市場九成。在美國，多名採購商提起的反壟斷集體訴訟則於2022年遭聯邦上訴法院判三家業者勝訴。

蘭巴斯專利訴訟

美光與記憶體技術授權商蘭巴斯的訴訟戰延續逾十年，核心爭點在於蘭巴斯是否於參與JEDEC標準制定時隱匿其專利布局。2008年，美國哥倫比亞特區巡迴上訴法院在蘭巴斯訴聯邦貿易委員會一案中，撤銷聯邦貿易委員會對蘭巴斯壟斷的認定。另一方面，在美光與蘭巴斯於德拉瓦州的訴訟中，法院認定蘭巴斯在預期興訟之際銷毀大量文件（其「銷毀日」活動估計毀棄9000至18000磅文件、並抹除1269捲備份磁帶中除一捲外的全部資料），構成證據湮滅。

Netlist專利訴訟

2024年5月，美國德州東區聯邦地方法院的陪審團認定美光的DDR4記憶體模組產品故意侵害Netlist公司的兩項專利，判美光須賠償約4.45億美元（其中一項專利2000萬美元、另一項4.25億美元）。陪審團並認定美光屬故意侵權，法官可據此將賠償額最多提高至三倍。該判決於2025年6月經法院維持。

相關條目

全球二十大半导体厂商

== 資料來源 ==