Przepływy kapitału do ETF-ów półprzewodników

Co się stało: W ostatnich tygodniach Roundhill Memory ETF (DRAM) wzrósł o 51,22%, przewyższając iShares Semiconductor ETF (SOXX) o 19,12%. Było to spowodowane silnym popytem na akceleratory AI, co doprowadziło do wzrostu cen pamięci o wysokiej przepustowości (HBM) i ograniczenia podaży pamięci. Tymczasem akcje półprzewodników jako całość radziły sobie znakomicie w 2023 roku, z ponad 5200 ETP w USA, ale tylko 120 skupionych na półprzewodnikach.

Wpływ rynkowy: Sektor półprzewodników, zwłaszcza producenci chipów pamięciowych, tacy jak Samsung Electronics, SK Hynix i Micron Technology, odnotował znaczące napływy. Jednak wysoka koncentracja DRAM w tych trzech firmach naraża go na potencjalne ryzyko związane z cyklicznym spadkiem popytu na pamięci. Szeroki sektor półprzewodników, reprezentowany przez SOXX, również odnotował znaczące napływy, a ETF handluje blisko swojego 52-tygodniowego maksimum.

Na co zwrócić uwagę w przyszłości: Inwestorzy powinni monitorować wyniki finansowe Micron Technology, które zostaną opublikowane pod koniec czerwca, aby uzyskać wgląd w trendy popytu i cen pamięci. Dodatkowo, należy obserwować 200-dniową średnią kroczącą SOXX, która może sygnalizować zmianę dynamiki ETF-u. Na koniec, należy zwracać uwagę na wszelkie zmiany regulacyjne lub napięcia geopolityczne, które mogą wpłynąć na globalny łańcuch dostaw półprzewodników.