Hier ist der wahre Grund, warum SpaceX mit Intel an Terafab zusammenarbeitet

Wichtige Punkte

Vor zwei Wochen kündigte Elon Musk sein Terafab-Projekt an.

Letzte Woche gab Intel ebenfalls bekannt, dass es sich an der Bemühung beteiligen wird, obwohl die Details spärlich waren.

Ein Blogbeitrag von Intel Research am selben Tag könnte beleuchten, worum es in der Partnerschaft wirklich geht.

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Vor zwei Wochen führte Elon Musk Terafab ein. Das Terafab-Vorhaben ist Musks Ambition, Halbleiter für seine Unternehmen Tesla (NASDAQ: TSLA) und SpaceX zu produzieren, die kürzlich mit xAI fusionierten, bevor es an die Börse geht (IPO).

Musk glaubt, dass er viele Chips benötigen wird, und mit "vielen Chips" meint er viele Chips – im Sinne von einer Terawatt-Rechenleistung pro Jahr. Um dies in Perspektive zu setzen, beträgt die aktuelle Leistung aller führenden KI-Chips aus allen Fabs weltweit nur 20 GW pro Jahr, also 2 % dessen, was Musk für nötig hält!

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Letzte Woche wurde es interessanter, als Intel (NASDAQ: INTC) bekannt gab, dass es sich an dem Terafab-Vorhaben "beteiligen" wird. In einem Tweet gab Intel bekannt:

Intel ist stolz darauf, sich mit @SpaceX, @xAI und @Tesla an dem Terafab-Projekt zu beteiligen, um die Silizium-Fab-Technologie neu zu gestalten.

-- Intel (@intel) 7. April 2026

Unsere Fähigkeit, Hochleistungs-Chips zu entwerfen, zu fertigen und zu verpacken, wird das Ziel von Terafab unterstützen, 1 TW/Jahr an Rechenleistung zu produzieren, um... pic.twitter.com/2vUmXn0YhH

Die Sprache rund um die Partnerschaft war allgemein und etwas verwirrend. Schließlich expandiert Intel auch seine eigenen Foundry-Dienste. Wird Intel Foundry also Teil von Terafab? Wird es Terafab betreiben? Sind es sogar zwei separate Einheiten?

Am selben Tag der Ankündigung der Partnerschaft machte Intel eine Technologieankündigung, die Licht auf den wahrscheinlichen Grund für die Zusammenarbeit warf... und sie könnte ziemlich aufregend sein.

Ein Durchbruch bei GaN-Chiplets

Am 7. April, am selben Tag, an dem Intel seine Teilnahme an Terafab ankündigte, veröffentlichten Intel Foundry-Forscher auch einen Blogbeitrag, in dem ein neuer technologischer Durchbruch beschrieben wurde.

Der betreffende Durchbruch ist ein neues Ultradünn-Galliumnitrid-(GaN)-Chiplet.

Galliumnitrid ist ein Verbundhalbleiter, der in Hochspannungsbereichen widerstandsfähiger ist als Silizium. In dem Blogbeitrag gaben die Forscher bekannt, dass Intel einen Weg gefunden hat, GaN direkt auf einem Standard-300-mm-Wafer mit Standard-Halbleiterproduktionsausrüstung anzubauen, was eine kostengünstige Produktion ermöglicht. Die Forscher implementierten auch einen neuartigen Dünnprozess namens Stealth Dicing Before Grinding (SDBG), mit dem Intel ein GaN-Chiplet mit einer Siliziumbasis von nur 19 Mikrometern herstellen konnte. Um dies in Perspektive zu setzen, ist ein Mikrometer eine Millionstel eines Meters, und 19 Mikrometer sind nur ein Fünftel der Breite eines menschlichen Haares.

Darüber hinaus konnte Intel GaN-Leistungselektronik und Silizium-Logik auf demselben Chiplet kombinieren. In herkömmlicher Leistungselektronik müssen Leistungstransistoren getrennt von Logiktransistoren gehalten werden, da die großen Transistoren von Leistungschips nicht klein genug sind, um komplexe Berechnungen durchzuführen, und sie erzeugen erhebliche Wärme und elektrisches Rauschen, das die Steuerung beeinflussen kann. Daher werden Leistungstransistoren oft von ihrer Steuerung entfernt, was oft einen separaten Chip erfordert. Das Trennen der beiden erhöht den für das System benötigten Platz und führt auch zu einem Verlust des elektrischen Stroms.

Aber Intel ist es gelungen, sowohl GaN-Leistungselektronik als auch die Steuerung auf demselben Chiplet zu platzieren. Laut dem Blogbeitrag konnte Intel traditionelles Silizium in das GaN-Wafer mithilfe eines Prozesses namens Layer Transfer mischen. Anschließend konnte Intel Hochspannungs-Leistungselektronik-Transistoren neben kleineren Logiktransistoren auf demselben Chiplet platzieren und so alle Transistoren – Leistung und Logik – in einem kompakteren Raum zusammenführen. Nachfolgende Tests zeigten, dass diese Chiplets unter Hochstressbedingungen funktionsfähig blieben und ihre Widerstandsfähigkeit beibehielten.

Warum SpaceX besonders an dieser Technologie interessiert sein könnte

In der Terafab-Präsentation betonte Musk, dass der Großteil der Chipausgabe an SpaceX gehen würde, sowohl für eine raumorientierte industrielle Wirtschaft als auch für KI-Datenzentren auf Satelliten. Halbleiter, die im Weltraum eingesetzt werden, müssen jedoch widerstandsfähig sein, um der rauen Umgebung standzuhalten.

GaN-basierte Chips sind besonders nützlich für Weltraumanwendungen, da GaN gegenüber Silizium strahlungsresistenter ist, und Sonnenstrahlung ist im Weltraum allgegenwärtig. Intels Fähigkeit, dünnere, leichtere und kompaktere GaN-Chips herzustellen, wäre daher besonders nützlich, da jede kleine Gewichtsreduktion bei einer Rakete Millionen von Dollar bedeuten kann. Je schwerer die Rakete ist, desto teurer ist der Start aufgrund des benötigten Treibstoffs und der Leistung. Heutzutage können Startkosten zwischen 1.000 und 10.000 US-Dollar pro Pfund liegen, je nach Art der Nutzlast.

Die finanziellen Auswirkungen werden sich erst in Jahren zeigen

Da Terafab voraussichtlich buchstäblich Billionen von Dollar kosten und lange dauern wird, werden sich die finanziellen Auswirkungen der SpaceX-Intel-Partnerschaft voraussichtlich erst in Jahren zeigen. Darüber hinaus ist noch unklar, ob Intel dieses IP nur lizenzieren oder ob es an Terafab beteiligt oder mit SpaceX und Tesla in Terafab investieren wird.

Wenn jedoch weitere positive Details zu der Partnerschaft auftauchen, könnte dies den Aktienkurs von Intel weiterhin unterstützen, angesichts der enormen Chipmenge, die Musk produzieren möchte.

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Billy Duberstein und/oder seine Kunden haben Positionen in Intel und verfügen über die folgenden Optionen: Short April 2026 $34 Puts auf Intel. The Motley Fool hat Positionen in und empfiehlt Intel und Tesla. The Motley Fool hat eine Offenlegungspolitik.

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