SpaceX 与英特尔合作 Terafab 的真正原因

要点

两周前，埃隆·马斯克宣布了他的 Terafab 项目。

上周，英特尔也宣布将加入这项努力，尽管细节很少。

英特尔研究部门在同一天发布的一篇博文可能阐明了此次合作的真正意义。

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两周前，埃隆·马斯克推出了 Terafab。Terafab 项目是马斯克雄心勃勃的目标，旨在为他的公司 Tesla (NASDAQ: TSLA) 和 SpaceX 生产半导体，SpaceX 最近与 xAI 合并，在其即将进行的首次公开募股 (IPO) 之前。

马斯克认为他将需要大量的芯片，而“大量的芯片”意味着大量的芯片——即每年一太瓦的计算能力。为了保持这种视角，目前所有领先的人工智能 (AI) 芯片的年产量仅为 20 吉瓦，或仅为马斯克认为他将需要的 2%！

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上周，当英特尔 (NASDAQ: INTC) 宣布“加入”Terafab 项目时，事情变得更有趣了。在一条推文中，英特尔披露道：

英特尔很自豪能与 @SpaceX、@xAI 和 @Tesla 一起加入 Terafab 项目，以帮助重构硅晶圆厂技术。

-- 英特尔 (@intel) 2026 年 4 月 7 日

我们大规模设计、制造和封装超高性能芯片的能力将有助于加速 Terafab 每年生产 1 太瓦计算能力的目标，以为...供电 pic.twitter.com/2vUmXn0YhH

关于此次合作的措辞很笼统，而且有些令人困惑。毕竟，英特尔也在扩展自己的代工厂服务。那么，英特尔代工厂会成为 Terafab 的一部分吗？它会运营 Terafab 吗？它们是两个独立的实体吗？

在宣布合作的同一天，英特尔发布了一项技术公告，阐明了此次合作的可能原因……这可能非常令人兴奋。

突破性的 GaN 芯片

4 月 7 日，也就是英特尔宣布参与 Terafab 的同一天，英特尔代工厂的研究人员还发布了一篇博文，概述了一项新的技术突破。

这项突破是一款新的超薄氮化镓 (GaN) 芯片。

氮化镓是一种化合物半导体，在高温高压环境下比硅更具弹性。在这篇博文中，研究人员披露，英特尔已经找到了一种方法，可以在标准 300 毫米晶圆上使用标准半导体生产设备生长 GaN，从而实现低成本生产。研究人员还实施了一种名为“隐形切割后研磨”(SDBG) 的新型减薄工艺，使英特尔能够制造出厚度仅为 19 微米的氮化镓芯片，其基底为硅。作为参考，一微米是百万分之一米，19 微米仅为人头发丝宽度的五分之一。

更重要的是，英特尔能够将 GaN 功率电子器件和硅逻辑集成在同一芯片上。在传统的功率电子器件中，功率晶体管必须与逻辑晶体管分开，因为功率芯片的大型晶体管不够小，无法执行复杂的计算，而且它们会产生显著的热量和电噪声，从而影响控制它们的附近逻辑。因此，功率晶体管通常放置在其控制逻辑的远处，这通常需要单独的芯片。将两者分开会增加系统所需的空间，并导致电流损失。

但英特尔已经设法将 GaN 功率电子器件和控制逻辑放置在同一芯片上。根据博文，英特尔能够使用一种称为“层转移”的工艺将传统硅混合到 GaN 晶圆中。完成此操作后，英特尔能够将高压功率电子晶体管放置在同一芯片上的小型逻辑晶体管旁边，将所有晶体管——无论是功率还是逻辑——都置于更紧凑的空间内。随后的测试表明，这些芯片在承受高压应力条件下能够正常工作并保持其弹性。

SpaceX 可能对此技术特别感兴趣的原因

在 Terafab 的演示中，马斯克强调大部分芯片产量将提供给 SpaceX，用于面向太空的工业经济以及卫星上的 AI 数据中心。然而，太空应用中使用的半导体需要坚固耐用，以承受恶劣的环境。

基于 GaN 的芯片在太空应用中特别有用，因为 GaN 比硅更耐辐射，而太阳辐射在太空中普遍存在。因此，英特尔制造更薄、更轻、更紧凑的 GaN 芯片的能力将特别有用，因为火箭上的每一克重量减轻都可能意味着数百万美元。火箭越重，发射成本就越高，因为需要燃料和电力。如今，根据有效载荷的类型，发射成本可能从每磅 1,000 美元到 10,000 美元不等。

财务影响需要数年才能显现

鉴于 Terafab 可能耗资数万亿美元，并且需要很长时间才能建成，SpaceX-英特尔合作的财务影响在很长一段时间内可能都不会显现。此外，目前尚不清楚英特尔是仅仅许可这项知识产权，还是会运营 Terafab 或与 SpaceX 和 Tesla 在 Terafab 上共同投资。

不过，如果在此期间出现更多积极的合作细节，鉴于马斯克设想的芯片产量巨大，这可能会继续使英特尔的股价受益。

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